§ Транзистор P-MOS + N-MOS AOP605 DIP8

Основні характеристики:

§ AOP605
Один транзистор N-MOS средней мощности низковольтный
Один транзистор P-MOS средней мощности низковольтный

Характеристики:
Vds = 30в
Vdg = 30в
Vgs = 20в
Id(N-ch) = 7.5a
Id(P-ch) = 6.6a
Pd = 5 W
Rds(N-ch) = 0.028ом
Rds(N-ch) = 0.035ом

Ціна роздрібна, готівковий розрахунок: 280.00 грн.
Ціна роздрібна, безготівковий розрахунок: 315.00 грн.

    Технічна інформація
Задати питання по цьому товару
Ціна та наявність показані за станом на 9.2.2026 12:23.
Оновлення відбувається кілька разів на день.
Вказана реальна наявна кількість.